宸远科技（CCT)是专业高压积层陶瓷电容(Multi -Layer Ceramic Capacitor)，高压贴片电容之生产工厂，本公司成立于民国89年12月，目前资本额为新台币四亿四千万元整，工
厂位于高雄前镇加工出口区及大陆深圳上海，自成立以后本公司全力发展在中高压积层陶瓷(Size:0603-2225 .Voltage:6.3V-5KV).安规高压积层陶瓷(X1/Y2 NP0 X7R、X2/Y3 NP0
X7R),大容量贴片电容(Size 0603－2225)贴片压敏电阻(0402-1812)及低容值的电容，目前本公司以自有(CCT)品牌行銷全世界.
陶瓷贴片电容全系列特点：
長寿命,耐高温体积小的贴片电容,目前已推广（模块电源、LED电源、照明电源、汽车电子等）多家工厂使用,可替代CBB电容.解決CBB电容体只大,不能耐高温的问题,贴片电容温度
系数可达-55---+125度,寿命可达10年
尺寸：0603、0805、1206、1210、1812、2211、2220、2225、3035，电压范围6.3V～6KV，容量范围0.1pf～220uf.
贴片电容的作用：
在直流电路中，电容器是相当于断路的。电容器是一种能够储藏电荷的元件，也是最常用的电子元件之一。
这得从电容器的结构上说起。最简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质（包括空气）构成的。通电后，极板带电，形成电压（电势差），但是由于中间的绝缘物质，所
以整个电容器是不导电的。不过，这样的情况是在没有超过电容器的临界电压（击穿电压）的前提条件下的。我们知道，任何物质都是相对绝缘的，当物质两端的电压加大到一定
程度后，物质是都可以导电的，我们称这个电压叫击穿电压。电容也不例外，电容被击穿后，就不是绝缘体了。不过在中学阶段，这样的电压在电路中是见不到的，所以都是在击
穿电压以下工作的，可以被当做绝缘体看。陶制电容器
但是，在交流电路中，因为电流的方向是随时间成一定的函数关系变化的。而电容器充放电的过程是有时间的，这个时候，在极板间形成变化的电场，而这个电场也是随时间变化
的函数。实际上，电流是通过场的形式在电容器间通过的。
G9灯 E14玉米灯专用阻容降压电容
110V或220VAC可以代替插件CBB电容
630V 104 1210封装 X7T材质 630V 154 1210封装 X7T材质
450V 224 1210封装 X7T材质 250V 334 1812封装
250V 474 1812封装 250V 684 1812封装
250V 105 1812封装 250V 824 1812封装
500V 224 1812封装 450V 334K 1812封装 X7R
450V 474 1812封装 X7T 450V 684 1812封装
400V 105 1812封装 50V 105 2220封装 X7T
250V 475 X7T 2220封装 450V 225 X7T 2220封装
以上都为X7R或X7T材质 精度为10%耐125度高温
MLCC 制作工艺流程：
1、原材料——陶瓷粉配料关键的部分(原材料决定MLCC的性能)；
2、球磨——通过球磨机(大约经过2-3天时间球磨将瓷份配料颗粒直径达到微米级)；
3、配料——各种配料按照一定比例混合；
4、和浆——加添加剂将混合材料和成糊状；
5、流沿——将糊状浆体均匀涂在薄膜上(薄膜为特种材料，***表面平整)；
6、印刷电极——将电极材料以一定规则印刷到流沿后的糊状浆体上(电极层的错位在这个工艺上***，不同MLCC的尺寸由该工艺***)；
7、叠层——将印刷好电极的流沿浆体块依照容值的不同叠加起来，形成电容坯体版(具体尺寸的电容值是由不同的层数确定的)；
8、层压——使多层的坯体版能够结合紧密；
9、切割——将坯体版切割成单体的坯体；
10、排胶——将粘合原材料的粘合剂用390摄氏度的高温将其排除；
11、焙烧——用1300摄氏度的高温将陶瓷粉烧结成陶瓷材料形成陶瓷颗粒(该过程持续几天时间，如果在焙烧的过程中温度控制不好就容易产生电容的脆裂)；
12、倒角——将长方体的棱角磨掉，并且将电极露出来，形成倒角陶瓷颗粒；
13、封端——将露出电极的倒角陶瓷颗粒竖立起来用铜或者银材料将断头封起来形成铜(或银)电极，并且链接粘合好电极版形成封端陶瓷颗粒(该工艺决定电容的)；
14、烧端——将封端陶瓷颗粒放到高温炉里面将铜端(或银端)电极烧结使其与电极版接触缜密；形成陶瓷电容初体；
15、镀镍——将陶瓷电容初体电***(铜端或银端)电镀上一层薄薄的镍层，镍层一定要完全覆盖电***铜或银，形成陶瓷电容次体(该镍层主要是屏蔽电极铜或银与最外层的锡发生
相互渗透，导致电容老衰)；
16、镀锡——在镀好镍后的陶瓷电容次体上镀上一层锡想成陶瓷电容成体(锡是易焊接材料，镀锡工艺决定电容的可焊性)；
17、测试——该流程必测的四个指标：耐电压、电容量、DF值损耗、漏电流Ir和绝缘电阻Ri(该工艺区分电容的耐电压值，电容的***度等)
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